(资料图片)

在车载电源和电驱系统产品领域，第三代半导体碳化硅功率器件取代传统硅基功率器件已成为行业发展趋势之一。不过，碳化硅功率器件在实际应用中面临着驱动控制敏感、瞬态热管理、EMC电磁干扰等难点。

为解决上述难题，知名汽车零部件供应商威迈斯通过针对第三代半导体功率器件出台各项设计规范、测试规范，针对不同品牌的差异采用不同的参数和控制方式，形成了标准设计规范。

据威迈斯IPO上市招股书披露，在驱动控制敏感方面，威迈斯研究评估不同厂商的第三代半导体器件的参数，通过硬件电路设计解决功率回路中等效串联电感对驱动电压的影响。

在瞬态热管理方面，威迈斯通过建立瞬态热仿真模型、晶圆直接温度标定等方法，获得瞬态下的热分布数据，并基于此数据形成系统级的瞬态热管理策略。

在EMC设计方面，为实现部件内部开关电磁干扰抑制的系统性优化，威迈斯通过专利保护的EMC滤波器件以及主动EMC抑制技术，优化开关电磁干扰源头，并通过优化高低压布局、高低压屏蔽，实现更优的开关电磁干扰路径控制及耦合串扰抑制。

基于前述核心技术实力，威迈斯已在第三代半导体功率器件的应用方面取得了良好的产业化成果。公司在11kW车载电源产品及40kW液冷充电桩模块产品，成功应用第三代半导体功率器件MOSFET，并实现量产发货，已于2021年实现销售收入6,887.53万元。在前述车载电源产品中，威迈斯通过使用高耐压的碳化硅MOSFET替代硅基MOSFET，使得MOSFET器件数量大幅缩减，从而减小了产品的体积和重量，并提升了产品的转换效率。

【广告】

（免责声明：此文内容为广告，相关素材由广告主提供，广告主对本广告内容的真实性负责。本网发布目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责，请自行核实相关内容。广告内容仅供读者参考。）

关键词： 电磁干扰 核心技术 电路设计 转换效率